本网消息 10月23日上午，应电气与电子信息工程学院邀请，合肥工业大学副教授、博士生导师赵爽来校作了题为“碳化硅器件开关特性建模、测试及先进栅极驱动技术”的学术讲座。
赵爽副教授从功率半导体器件的基础知识切入，介绍了功率二极管、MOSFET、IGBT等常见器件的基本结构、工作原理及典型应用场景，对比了不同类型器件在电压、频率等方面的特性差异。他重点讲解了碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料的高临界击穿场强等物理优势，并围绕SiC器件快速开关瞬态过程中的挑战，介绍了兼顾寄生参数与非线性电容的建模方法，以及面向开关损耗与EMI多目标折中的有源栅极驱动等先进技术方案，为SiC变换器的器件选型与可靠性设计提供了理论参考。
交流环节，现场学生围绕功率器件选型原则、碳化硅器件的工程应用及科研入门等问题踊跃提问，赵爽副教授逐一细致解答，并结合自身工业界经验给出建议。现场互动频繁，学术氛围活跃。此次讲座为学院师生普及了电力电子器件的基础与前沿知识，进一步激发了同学们对功率半导体与先进能量变换技术的学习兴趣。
电气与电子信息工程学院青年教师及本科生、硕士生代表参加讲座。
（通讯员 张万成）
〖专家简介〗赵爽：合肥工业大学副教授、博士生导师，电气系副主任，本硕毕业于武汉大学，博士毕业于美国阿肯色大学。曾任ABB美国研究中心助理科学家、英飞凌科技美国总部应用工程师，2021年底加入合肥工业大学，兼任江苏宏微科技公司双聘技术专家、合肥综合性国家科学中心能源研究院研究员。主要研究功率半导体器件先进封装、高密度能量变换、高参数特种电源及可控核聚变应用等。主持国家自然科学基金青年、面上及国家人社部外专等项目，入选中国科协青年人才托举工程、全球前2%顶尖科学家榜单，发表SCI/EI论文70余篇，授权发明专利10余项。现为IEEE高级会员，任中国电源学会元器件专委会副主任及多个SCI期刊客座编辑。
